17995-33-4Relevant academic research and scientific papers
Formation of organosilicon compounds. 114. Investigations concerning the amination of Si-chlorinated 1,3,5,7-tetrasilaadamantanes and formation of bis(1,3,5,7-tetrasilaadamantyl)methylamine
Kovacs, Ilona,Magull, Joerg,Fritz, Gerhard
, p. 585 - 589 (2007/10/02)
The reaction of a mixture of Si-chlorinated 1,3,5,7-tetrasilaadamantanes (products of the gas phase pyrolysis of Me3SiCl) with LiMe yields ClMe3Ad 2 and Cl2Me2Ad 3 (Ad = skeleton of 1,3,5,7-tetrasilaadamantane), the starting compounds for an investigation of the related silylamines.In contrast to reactions with NH3, where no defined compounds could be isolated, the reaction of 2 with MeNH2 leads to Me3(NHMe)Ad 5 and the reaction of 3 with MeNH2 leads to Me2(NHMe)2Ad 6.The NMe-bridged (Me3Ad)2NMe 7 is formed when heating 5 to 300 deg C. Analogously 6 yields 2NMe 8 and other compounds.BrMe3Ad 4 with NaNH2 forms the products Me3(NH2)Ad 9, (Me3Ad)2NH 10 and higher molecular compounds.The reaction of Cl4Ad with MeNH2 produces (NHMe)4Ad 11.Compound 7 forms triclinic crystals in the space group P with the lattice parameters a=959.6 pm, b=1331.7 pm, c=1371.5 pm, α=117.92 deg, β=89.98 deg, γ=103.23 deg and two formula units in the unit cell. NMe-substituted 1,3,5,7-tetrasilaadamantane / crystal structure of bis(1,3,5,7-tetrasilaadamantyl)methylamine
Carbosilane
Fritz, Gerhard
, p. 1150 - 1171 (2007/10/02)
Im Molekuelgeruest von Carbosilanen sind die Elemente Silicium und Kohlenstoff alternierend angeordnet.Ersetzen wir im Diamantgitter das jeweils naechste C-Atom durch ein Si-Atom, so erhalten wir formal Siliciumcarbid (SiC), von dem aufgrund unterschiedlicher Stapelfolge mehrere Modifikationen existieren.Das SiC-Gitter ist die Basis vieler Carbosilane.Nach ihren Strukturmerkmalen werden sie in Carborundane, Silascaphane und solche Spezies unterteilt, die kein Strukturelement des Siliciumcarbids mehr enthalten.In den Carborundanen sind die Si-C-Sechsringe in Sesselform und in den Silascaphanen in Wannenform angeordnet.Die dritte Gruppe enthaelt Si-C-Si-Gerueste, die sich von Barrelan und Asteran ableiten.Bei allen Carbosilanen werden die Reaktionsmoeglichkeiten primaer durch die Substituenten an den Geruest-Atomen bestimmt.SiH- oder Si-Halogen-Gruppen bedingen eine erhebliche Reaktionsfaehigkeit, waehrend Derivate mit organischen Gruppen an den Si-Atomen und CH2- oder CH-Gruppen im Geruest reaktionstraeger sind.Diese CH2- bzw.CH-Gruppen ermoeglichen jedoch charakteristische Reaktionen.Aufgrund ihres Aufbaus und der vielfaeltigen Substitutionsmoeglichkeiten finden die Carbosilane in neuerer Zeit auch erhebliches Interesse im Blick auf die Entwicklung spezieller keramischer Materialien.
