DOI: 10.1039/C3RA42902D
RSC Advances
b School of Materials Science and Engineering, and Tianjin Key
Laboratory of Composite and Functional Materials, Tianjin University,
Tianjin 300072, China
† Electronic Supplementary Information (ESI) available: EDS spectrum
5 of the ZnO BNRs. SEM image recorded from the top section of a ZnO
NR after the second hydrothermal growth. XRD pattern of the ZnO film
produced by magnetron sputtering. TEM image of the ZnO BNRs. See
DOI: 10.1039/b000000x/
22. L. Vayssieres, Adv. Mater., 2003, 15, 464-466.
23. X. W. Lou, L. A. Archer and Z. C. Yang, Adv. Mater., 2008, 20,
3987-4019.
24. A. Krost, J. Christen, N. Oleynik, A. Dadgar, S. Deiter, J. Blasing, A.
Krtschil, D. Forster, F. Bertram and A. Diez, Appl. Phys. Lett., 2004,
85, 1496-1498.
25. P. Jiang, J. J. Zhou, H. F. Fang, C. Y. Wang, Z. L. Wang and S. S.
Xie, Adv. Funct. Mater., 2007, 17, 1303-1310.
26. D. F. Zhang, L. D. Sun, J. Zhang, Z. G. Yan and C. H. Yan, Cryst.
Growth Des., 2008, 8, 3609-3615.
27. G. J. Exarhos and S. K. Sharma, Thin Solid Films, 1995, 270, 27-32.
28. C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, D. Spemann, T. Butz, E.
M. Kaidashev, M. Lorenz and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett.,
2003, 83, 1974-1976.
29. K. Y. Wu, Q. Q. Fang, W. N. Wang, M. A. Thomas and J. B. Cui, J.
Appl. Phys., 2012, 111.
30. A. Kaschner, U. Haboeck, M. Strassburg, M. Strassburg, G.
Kaczmarczyk, A. Hoffmann, C. Thomsen, A. Zeuner, H. R. Alves, D.
M. Hofmann and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 1909-
1911.
55
60
65
70
10 1. A. G. Kanaras, C. Sönnichsen, H. Liu and A. P. Alivisatos, Nano
Lett., 2005, 5, 2164-2167.
2. J. Li, S. J. Guo and E. K. Wang, RSC Adv., 2012, 2, 3579-3586.
3. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S.
Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho and H. Morkoc, J. Appl. Phys., 2005,
15
98.
4. B. Dindar and S. Içli, J. Photochem. Photobiol., A, 2001, 140, 263-
268.
5. A. McLaren, T. Valdes-Solis, G. Li and S. C. Tsang, J. Am. Chem.
Soc., 2009, 131, 12540-12541.
20 6. S. H. Ko, D. Lee, H. W. Kang, K. H. Nam, J. Y. Yeo, S. J. Hong, C.
P. Grigoropoulos and H. J. Sung, Nano Lett., 2011, 11, 666-671.
7. H. M. Cheng, W. H. Chiu, C. H. Lee, S. Y. Tsai and W. F. Hsieh, J.
Phys. Chem. C, 2008, 112, 16359-16364.
31. F. J. Manjon, B. Mari, J. Serrano and A. H. Romero, J. Appl. Phys.,
2005, 97.
75 32. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant and J. A.
Voigt, Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 403-405.
8. C. M. Yang, M. H. Hon and I. C. Leu, J. Electrochem. Soc., 2012,
25
159, H638-H643.
33. Y. S. Liu, J. Han, W. Qiu and W. Gao, Appl. Surf. Sci., 2012, 263,
389-396.
34. Y. Zheng, C. Chen, Y. Zhan, X. Lin, Q. Zheng, K. Wei, J. Zhu and
Y. Zhu, Inorg. Chem., 2007, 46, 6675-6682.
35. J. Wang, P. Liu, X. Fu, Z. Li, W. Han and X. Wang, Langmuir, 2008,
25, 1218-1223.
36. J. Gotzen and G. Witte, Appl. Surf. Sci., 2012, 258, 10144-10147.
37. E. S. Jang, J. H. Won, S. J. Hwang and J. H. Choy, Adv. Mater.,
2006, 18, 3309-3312.
9. S. B. Zhu, L. M. Shan, X. N. Chen, L. He, J. J. Chen, M. Jiang, X. L.
Xie and Z. W. Zhou, RSC Adv., 2013, 3, 2910-2916.
10. L. X. Zhang, J. H. Zhao, H. G. Lu, L. Li, J. F. Zheng, J. Zhang, H. Li
and Z. P. Zhu, Sens. Actuator B-Chem., 2012, 171, 1101-1109.
80
85
30 11. S. Ma, R. Li, C. Lv, W. Xu and X. Gou, J. Hazard. Mater., 2011,
192, 730-740.
12. F. Xu, Y. Shen, L. Sun, H. Zeng and Y. Lu, Nanoscale, 2011, 3,
5020-5025.
13. M. A. Kanjwal, F. A. Sheikh, N. A. M. Barakat, X. Q. Li, H. Y. Kim
38. M. Ahmad, E. Ahmed, Z. L. Hong, J. F. Xu, N. R. Khalid, A. Elhissi
and W. Ahmed, Appl. Surf. Sci., 2013, 274, 273-281.
39. M. M. Gao, C. K. N. Peh, W. L. Ong and G. W. Ho, RSC Adv., 2013,
3, 13169-13177.
90 40. S. S. Yang, Y. F. Wang, L. S. Bai, B. F. Liu, J. Fan, X. Yang, H. X.
Zhao, C. C. Wei, Q. Huang, X. L. Chen, G. C. Wang, Y. Zhao and X.
D. Zhang, RSC Adv., 2013, 3, 208-214.
35
and I. S. Chronakis, Appl. Surf. Sci., 2012, 258, 3695-3702.
14. R. Kozhummal, Y. Yang, F. Güder, A. Hartel, X. Lu, U. M.
Küçükbayrak, A. Mateo-Alonso, M. Elwenspoek and M. Zacharias,
ACS Nano, 2012, 6, 7133-7141.
15. J. Y. Lao, J. G. Wen and Z. F. Ren, Nano Lett., 2002, 2, 1287-1291.
40 16. S. Y. Bae, H. W. Seo, H. C. Choi and J. Park, J. Phys. Chem. B,
2004, 108, 12318-12326.
17. T. R. Zhang, W. J. Dong, M. Keeter-Brewer, S. Konar, R. N. Njabon
and Z. R. Tian, J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, 10960-10968.
18. T. L. Sounart, J. Liu, J. A. Voigt, M. Huo, E. D. Spoerke and B.
41. Y. M. Meng, Y. Lin and J. Y. Yang, Appl. Surf. Sci., 2013, 268, 561-
565.
95
45
50
McKenzie, J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 15786-15793.
19. F. H. Zhao, J. G. Zheng, X. F. Yang, X. Y. Li, J. Wang, F. L. Zhao,
K. S. Wong, C. L. Liang and M. M. Wu, Nanoscale, 2010, 2, 1674-
1683.
20. X. D. Yan, Z. W. Li, C. W. Zou, S. Li, J. Yang, R. Chen, J. Han and
W. Gao, J. Phys. Chem. C, 2010, 114, 1436-1443.
21. X. D. Yan, Z. W. Li, R. Q. Chen and W. Gao, Cryst. Growth Des.,
2008, 8, 2406-2410.
100
This journal is © The Royal Society of Chemistry [year]
Journal Name, [year], [vol], 00–00 | 6